你否看到这些高效率电源器件傻傻的分不清呢？你是不是知道爱人这些器件呢？可我们不懂它，又怎么称之为的上爱它呢？那竟然我们走出它们，理解它们。下面我们从器件对启动时信号波形的拒绝、电源频率、单双极、主要优、缺点方面考虑到，七种高效率电源器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。

　　BJT：电流型全控器件；于是以持续基极电流掌控通车，基极电流为0则变频器；电源频率高；双近于；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率较低。　　　　　　SCR：电流型半触器件；于是以脉冲门近于电流掌控通车，启动时信号无法掌控开断；电源频率较低；双近于；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率较低。　　　　GTO：电流型全控器件；于是以脉冲门近于电流掌控通车，胜脉冲门近于电流（较小）掌控变频器；电源频率较低；双近于；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率较低。

　　　　P-MOSFET：电压型全控器件；于是以持续栅极电压掌控通车，胜持续栅极电压掌控并维持变频器；电源频率低；单极；主要优点：输入阻抗低，驱动功率小，驱动电路非常简单，工作频率低；主要缺点：通态压降大（通态损耗大），电流、电压额定较低。　　　　IGBT：电压型全控器件；于是以持续栅极电压掌控通车，胜持续栅极电压掌控并维持变频器；电源频率较高；双近于；主要优点：输入阻抗低，驱动功率小，驱动电路非常简单，工作频率低；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。　　　　MCT：电压型全控器件；于是以脉冲电压掌控通车，胜脉冲电压掌控变频器；电源频率较高（高于IGBT）；双近于；主要优点：输入阻抗低，驱动功率小，驱动电路非常简单，工作频率低；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。

　　　　SIT：电压型全控器件；持续电压掌控折断、合；电源频率低；单极；主要优点：输入阻抗低，驱动功率小，驱动电路非常简单，工作频率低；主要缺点：通态压降大（通态损耗大）。

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